在汽车普及背景下，汽车功率半导体具有高增长潜力，主要用于电能转化与电路控制。常见的功率器件包括Si基MOSFET、Si基IGBT和SiC基MOSFET，其中SiC具有高击穿电压、高功率密度和耐高温高频等优势。随着汽车电动化水平发展，功率器件需求增加，单车功率半导体价值量显著提升。未来5年的预测数据显示IGBT/SiC/MOSFET的CGAR分别可达42%/24%/14%，IGBT增长具有高确定性。

在细分市场中，IGBT是重点关注的领域。IGBT可分为芯片、分立器件、模块和智能功率模块，其设计、制造和测试都具有较高的技术门槛。IGBT芯片的设计和制造困难主要体现在提高沟道密度、电流密度、最大工作温度、降低芯片厚度、导通压降和开关损耗等方面。IGBT模块的性能指标受制于器件性能、连接和封装等因素。IGBT芯片和模块均存在较高的技术壁垒，行业分化较为明显。

国内以比亚迪半导体为代表的IGBT厂商攻关较新技术、扩建晶圆生产线，正在逐渐提高国内IGBT产品竞争力。国内SiC技术刚刚起步，产能不足、制程落后，目前还高度依赖海外。功率半导体领域，CR5达69.8%。英飞凌为全球龙头，占比30.2%，国内士兰微、比亚迪半导体、中车时代等企业虽在国际市场上难与五大企业匹敌，但在国内已经具备一定规模，在中低端MOSFET和IGBT领域都取得了较大进展。